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线正(c,d)单层h-BN交叉开关器件中双极性和单极性开关响应的I-V曲线。式开(c)图(a)中I-V曲线的拟合结果。最后，通先对二维材料在忆阻器领域的应用进行了总结，并提出了未来的研究方向。

周周执飞(c)Vset值与材料厚度的对应关系。(c)Ag/GO/ITO器件的I-V曲线，两班其中GO膜退火温度为20℃，插图为器件示意图。

张晗教授，航班男，1984年出生，深圳大学特聘教授、深圳市黑磷工程实验室主任、博士生导师。

济南机航图7. BN基忆阻器的基本特性(a,b)Ti/thinh-BN/Cu器件的结构图示及忆阻器的经典I-V曲线。文献链接：纽约DOI:10.1021/jacs.9b12788图5 TPZ/UCSs的结构示意图及其在肿瘤治疗中的应用6、纽约一种用于气体分离的MOF玻璃薄膜｜Angew.金属有机骨架(MOF)玻璃是一种很有前途的膜制造材料，因为它具有显著的多孔性，易于加工，最重要的是，它具有消除多晶MOF膜不可避免的晶界的潜力。

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